在電(dian)(dian)極電(dian)(dian)位偏離(li)平(ping)衡電(dian)(dian)位不(bu)遠時，電(dian)(dian)流 密度很小，金屬離(li)子(zi)在陰極上(shang)還原的數量不(bu)多，吸附(fu)原子(zi)的濃度較小，而且晶體(ti)表面上(shang)的“生 長點”也不(bu)太(tai)多。因(yin)此，吸附(fu)原子(zi)在電(dian)(dian)極表面上(shang)的擴散距離(li)相當長，可以規(gui)則(ze)地(di)進人晶格，晶 粒長得比較粗大。
在這種情況下，表(biao)面擴散(san)(san)速(su)度(du)控制著整個電結晶(jing)(jing)(jing)的(de)速(su)度(du)。當電極(ji)電位變 得(de)(de)更負些時，吸(xi)附(fu)原子的(de)濃度(du)逐漸(jian)增大，晶(jing)(jing)(jing)體(ti)表(biao)面上(shang)的(de)“生長(chang)點(dian)”也大大增加。于是吸(xi)附(fu)原子 表(biao)面擴散(san)(san)的(de)距(ju)離(li)縮短了，表(biao)面擴散(san)(san)更為容(rong)易(yi)。此(ci)時，吸(xi)附(fu)的(de)原子來不及規則地(di)排(pai)列在晶(jing)(jing)(jing)格 上(shang)，而(er)是在晶(jing)(jing)(jing)體(ti)表(biao)面上(shang)隨便“堆砌”，使得(de)(de)局(ju)部區域的(de)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)不可能生長(chang)太(tai)快，因(yin)而(er)可獲得(de)(de)細(xi)小 的(de)晶(jing)(jing)(jing)粒。這時，表(biao)面擴散(san)(san)速(su)度(du)可以變得(de)(de)比放電速(su)度(du)快得(de)(de)多(duo)，因(yin)此(ci)，整個電結晶(jing)(jing)(jing)過(guo)程的(de)速(su)度(du)受 離(li)子放電速(su)度(du)的(de)控制。
另(ling)一(yi)方面(mian)，在(zai)過電位的(de)(de)(de)絕對值很大(da)(da)時，電流密度也相當大(da)(da)，被還原(yuan)的(de)(de)(de)金屬離子數(shu)量(liang)很多， 會在(zai)電極表面(mian)形(xing)成大(da)(da)量(liang)的(de)(de)(de)吸附原(yuan)子。在(zai)這種情況下，它們很有可能聚積在(zai)一(yi)起，形(xing)成新(xin)的(de)(de)(de)晶(jing) 核(he)。而且(qie)極化(hua)越(yue)大(da)(da)形(xing)成晶(jing)核(he)的(de)(de)(de)概率就越(yue)大(da)(da)，速度就越(yue)快，晶(jing)核(he)的(de)(de)(de)尺寸也就越(yue)小，因(yin)而可以(yi)獲 得(de)細致(zhi)光滑的(de)(de)(de)金屬層。因(yin)此在(zai)電鍍過程中(zhong)，需要在(zai)晶(jing)體生長的(de)(de)(de)同時，還有大(da)(da)量(liang)的(de)(de)(de)晶(jing)核(he)形(xing)成。 也就是說，電鍍時總是設法(fa)使陰極電化(hua)學極化(hua)大(da)(da)一(yi)些。
在實際電(dian)鍍過程中，單靠(kao)提高電(dian)流密度來提高陰(yin)極極化是不行的。因為電(dian)流密度過大(da) 時，會使(shi)得(de)濃度極化的增(zeng)加遠大(da)于電(dian)化學極化的增(zeng)加，結果使(shi)鍍層變(bian)得(de)粗糙、疏松、多孔(kong)甚(shen)至(zhi) 燒焦。